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    鉗位電路和驅動電路的部件選型支持陶瓷輸出電容

    發布時間:2021/7/6 13:19:25 訪問次數:70

    新產品采用一體化封裝,相比采用Si-MOSFET的普通分立產品配置,部件數量顯著減少,1個封裝內包含多達12個部件(AC/DC轉換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極管×3、電阻器×6)和散熱板。另外,由于SiC MOSFET具有高耐壓、抗噪性能優異的特點,還可實現降噪部件的小型化。

    減少開發周期和風險,內置保護功能,可靠性顯著提高,新產品采用一體化封裝,可減少鉗位電路和驅動電路的部件選型及可靠性評估的工時,可降低部件故障風險,可縮減引進SiC MOSFET時的開發周期,一舉多得。

    制造商:Microchip 產品種類:電可擦除可編程只讀存儲器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 Narrow 接口類型:2-Wire, I2C 存儲容量:16 kbit 組織:2 k x 8 電源電壓-最小:1.7 V 電源電壓-最大:5.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 最大時鐘頻率:1 MHz 數據保留:100 Year 電源電流—最大值:3 mA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Microchip Technology / Atmel 濕度敏感性:Yes 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 產品類型:EEPROM 工廠包裝數量4000 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:540 mg

    TPS548B28具有快速負載瞬態響應,精確的負載調整和線路調整,跳躍模式或FCCM工作和可編軟起動時間.器件輸入范圍從4V到16V,無外接偏壓的電流高達20A,輸出電壓范圍從0.6V到5.5V.器件集成了7.7-mΩ和2.4-mΩ MOSFET,支持20A連續輸出電流,支持所有陶瓷輸出電容.

    可選擇FCCM或自動跳躍Eco模式以得到高的輕負載效率,引腳選擇開關頻率600 kHz, 800kHz和1 MHz,可編電流限制,差分遙控檢測可得到高輸出精度,外接基準輸入用來跟蹤,具有預偏壓起動功能,開漏極功率良好輸出,打嗝用于OC和UV故障,鎖定關閉用于OV故障.

    (素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

    新產品采用一體化封裝,相比采用Si-MOSFET的普通分立產品配置,部件數量顯著減少,1個封裝內包含多達12個部件(AC/DC轉換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極管×3、電阻器×6)和散熱板。另外,由于SiC MOSFET具有高耐壓、抗噪性能優異的特點,還可實現降噪部件的小型化。

    減少開發周期和風險,內置保護功能,可靠性顯著提高,新產品采用一體化封裝,可減少鉗位電路和驅動電路的部件選型及可靠性評估的工時,可降低部件故障風險,可縮減引進SiC MOSFET時的開發周期,一舉多得。

    制造商:Microchip 產品種類:電可擦除可編程只讀存儲器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 Narrow 接口類型:2-Wire, I2C 存儲容量:16 kbit 組織:2 k x 8 電源電壓-最小:1.7 V 電源電壓-最大:5.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 最大時鐘頻率:1 MHz 數據保留:100 Year 電源電流—最大值:3 mA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Microchip Technology / Atmel 濕度敏感性:Yes 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 產品類型:EEPROM 工廠包裝數量4000 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:540 mg

    TPS548B28具有快速負載瞬態響應,精確的負載調整和線路調整,跳躍模式或FCCM工作和可編軟起動時間.器件輸入范圍從4V到16V,無外接偏壓的電流高達20A,輸出電壓范圍從0.6V到5.5V.器件集成了7.7-mΩ和2.4-mΩ MOSFET,支持20A連續輸出電流,支持所有陶瓷輸出電容.

    可選擇FCCM或自動跳躍Eco模式以得到高的輕負載效率,引腳選擇開關頻率600 kHz, 800kHz和1 MHz,可編電流限制,差分遙控檢測可得到高輸出精度,外接基準輸入用來跟蹤,具有預偏壓起動功能,開漏極功率良好輸出,打嗝用于OC和UV故障,鎖定關閉用于OV故障.

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